Настройка частоты оперативной памяти в биосе. Разновидности таймингов оперативной памяти

Современные материнские платы позволяют вручную менять значения таймингов памяти. По умолчанию значения таймингов записаны в микросхемах SPD модулей и BIOS системной платы автоматически выставляет рекомендованные производителем значения.

Обычно для описания таймингов памяти используют следующую терминологию.

CAS (# CAS) - Column Access Strobe, выставление адреса столбца.

RAS (# RAS) - ROW Access Strobe, выставление адреса строки.

LATENCY - время задержки.

DRAM CAS LATENCY (TCL, CL) - количество тактов между адресацией столбца и поступлением данных в выходные регистры.

DRAM RAS TO CAS DELAY (TRCD, RCD) - количество тактов между выставлением адреса строки и считыванием адреса столбца, т. е. время, необходимое для переключения между строками и столбцами.
DRAM RAS PRECHARGE TIME (TRP, RP) - определяет, сколько тактов шины памяти понадобится для предварительной регенерации всех ячеек строки.
DRAM RAS ACTIVE TIME (Tras) - задержка в тактах между адресациями двух произвольных строк памяти, т. е. необходимое время в тактах для начала выполнения любой операции с памятью.
DRAM COMMAND RATE (CMD) - время задержки между командой выбора конкретного чипа на модуле и командой активации строки.
DRAM BURST LENGHT - определяет, сколько пакетов данных будет передано за один цикл.

Как правило, современные системные платы поддерживают изменение таймингов оперативной памяти средствами BIOS Setup. Однако возлагать серьезные надежды на повышение эффективности компьютерной системы за счет снижения таймингов не стоит. Влияние уменьшения задержек в большинстве категорий типовых задач весьма призрачно и укладывается в несколько процентов, что «на глаз» практически незаметно: как известно, человек замечает разницу в производительности не менее 10%.

Иногда манипуляции с таймингами памяти помогают при решении серьезных задач. Например, уменьшение даже на несколько процентов времени рендеринга тяжелой сцены в 3D Studio MAX сэкономит несколько часов и немало средств. Но следует помнить, что уменьшение задержек объективно снижает стабильность компьютерной системы.

Управление таймингами

Настройку таймингов памяти рассмотрим на примере средства Phoenix-Award BIOS CMOS Setup Utility системной платы ASUS A8N-SLI, оснащенной чипсетом AMD nForce 4. Как известно, контроллер памяти в этих системах встроен в процессор AMD Athlon 64.

    Запускаем средство BIOS Setup, выбираем раздел Advanced , категорию DRAM Configuration .

    По умолчанию все параметры памяти выставлены в положение Auto , то есть характеристики памяти считываются из микросхемы SPD модулей и тайминги выставляются в соответствии с записанной информацией.

    В примере показаны минимально возможные тайминги , разрешенные в данной версии BIOS. Надо понимать, что совсем не факт, что память, установленная на компьютере, заработает с такими параметрами.

    Поочередно изменяем значения в каждой строке категории DRAM Configuration. В первую очередь в строке 1T/2T Memory Timing (этот параметр аналогичен Command Rate ) выставляем значение 1T .

    Изменив параметр, выходим из BIOS Setup, загружаем операционную систему и проверяем работу памяти. Обычно для тестов используют специальные программы, например MemTest (http://hcidesigh.com/memtest/), или нагружают компьютер тяжелыми задачами, интенсивно использующими оперативную память. Для этой цели подходят научные вычисления, а в быту - программы архивирования или трехмерные игры. Если тест проходит нормально, переходим к следующему этапу. Если компьютер работает нестабильно, возвращаем значение параметра в предыдущее состояние.

    (Перезагружаем компьютер, запускаем средство BIOS Setup, выбираем раздел Advanced , категорию DRAM Configuration . Повторяем операции пункта 5 для строки CAS# Latency (Tcl) .

    Методом, описанным в пунктах 5 и 6, подбираем значения параметров, обеспечивающие стабильную работу компьютера при сокращенных таймингах. Заметим, что повышение частоты шины памяти приводит к увеличению таймингов, и наоборот, сокращение таймингов возможно только на нормированных для данного модуля или пониженных частотах. Какой метод предпочесть, оставляется на усмотрение пользователя.

Как правильно выставить тайминги оперативной памяти?

Ответ мастера:

Бывает так, что необходимо увеличить производительность компьютера. Но далеко не всегда установка новых комплектующих возможна. Например, сказывается отсутствие средств на покупку, или, невозможность физического доступа. В таком случае можно попытаться изменить параметры имеющегося оборудования, такого как процессор или оперативная память. Все параметры, как правило, настраиваются через BIOS.

Для начала необходимо выполнить проверку оперативной памяти Вашего компьютера. Для выполнения проверки зайдите в меню «Пуск». Оттуда перейдите в панель управления и найдите пункт «Система и безопасность». Кликните по пункту «Администрирование».

Далее, Вам нужно запустить программу под названием «Проверка памяти Windows». После запуска согласитесь с предложенной перезагрузкой Вашего компьютера и подождите, пока не закончится тест оперативной памяти компьютера. Заново перезагрузите компьютер, и в моменты загрузки зайдите в меню BIOS. Откройте там пункт, отвечающий за изменение параметров функционирования процессора и оперативной памяти.

Прежде всего, Вам нужно увеличить подаваемое напряжение. Это необходимо для того, чтобы избежать отключения компьютера в аварийном режиме. Далее найдите показатели таймингов оперативной памяти. Их четыре. Выберите четвертый пункт и понизьте его значение на 0.5. Применяйте новое значение, которое Вы ввели, через пункт Save & Exit.

После того, как операционная система загрузится, повторите тест оперативной памяти. Если ошибок не выявлено, можно понизить через BIOS третий пункт на единицу. Таким образом, понижайте показатели и проводите тест до тех пор, пока тестирование не сообщит о появлении ошибки. Если таковая возникла, значит нужно вернуться к последним рабочим параметрам.

Не забывайте повышать напряжение, которое подается к оперативной памяти. Если же требуется большее повышение производительности, то нужно выполнить настройку шины. Обычно показатель этого параметра находится непосредственно над показателями, которые отвечают за тайминги. Для начала повысьте показатель частоты на 20 - 30 герц. Если после этого тест оперативной памяти не сообщит об ошибках, то повышайте показатель до возникновения таковых.

Нельзя резко уменьшать показатели таймингов памяти. Это не только приведет к сбоям в работе, но может и вывести из строя планки оперативной памяти.

Если вам когда-либо приходилось интересоваться параметрами работы такой важной системы компьютера, как , то вам наверняка, не раз встречался такой термин, как тайминги оперативной памяти. Что же он обозначает, и в чем заключается важность этого параметра? Попытаемся разобраться в данном вопросе.

Основными параметрами оперативной памяти, как известно, являются технология ее работы (например, DDR 1, 2 или 3), ее объем, а также тактовая частота. Но помимо этих параметров довольно важным, хотя и не всегда учитываемым параметром являются характеристики латентности памяти или так называемые тайминги. Тайминги оперативной памяти определяются количеством времени, которое требуется микросхемам ОЗУ, чтобы выполнить определенные этапы операций чтения и записи в ячейку памяти и измеряются в тактах системной шины. Таким образом, чем меньше будут значения таймингов модуля памяти, тем меньше модуль будет тратить времени на рутинные операции, тем большее быстродействие он будет иметь и, следовательно, тем лучше будут его рабочие параметры. Тайминги во многом влияют на производительность работы модуля ОЗУ, хотя и не так сильно, как тактовая частота.

Разновидности таймингов

К числу основных относятся:

  • CAS Latency (CL) – Латентность CAS.
  • RAS to CAS Delay (TRCD) – Задержка RAS to CAS
  • RAS Precharge (TRP) – Время зарядки RAS

Аббревиатура CAS обозначает Column Address Strobe (строб-сигнал адреса колонки), а RAS - Row Address Strobe (строб-сигнал адреса строки).

Часто, хотя и не всегда, производители микросхем ОЗУ используют четвертый и пятый тайминги. Ими являются Row Active Time (TRAS), обычно приблизительно равный сумме второго тайминга (TRCD) и квадрата тайминга CL, а также Command rate.

Все тайминги обычно указываются на маркировке микросхемы памяти в следующем порядке: CL-TRCD-TRP-TRAS. Например, обозначение 5-6-6-18 свидетельствует о том, что у микросхемы памяти значение CAS Latency равно 5 тактам, RAS to CAS Delay и RAS Precharge равны 6 тактам, значение Row Active Time – 18 тактам.

Тайминг CAS Latency является одним из самых важных таймингов модуля оперативной памяти. Он определяет время, которое требуется модулю памяти, чтобы выбрать необходимый столбец в строке памяти после поступления запроса от процессора на чтение ячейки.

Этот тайминг определяет число тактов, которое проходит между снятием сигнала RAS, означающего выбор определенной строки памяти и подачей сигнала CAS, при помощи которого осуществляется выбор определенного столбца (ячейки) в строке памяти.

Этот параметр задает количество времени в тактах, которое проходит между сигналом на предварительную зарядку Precharge и открытием доступа к следующей строке данных.

Row Active Time

Это тайминг определяет время, в течение которого является активной одна строка модуля памяти. Также в некоторых источниках он может называться , RAS Active Time, Row Precharge Delay или Active Precharge Delay.

Иногда для характеристики модуля памяти также используется тайминг Command Rate. Он определяет общую задержку при обмене командами между контроллером памяти и модулем ОЗУ. Обычно равен всего 1-2 тактам.

Также для определения параметров работы ОЗУ иногда используются вспомогательные тайминги оперативной памяти, такие, как RAS to RAS Delay, Write Recovery Time, Row Cycle Time, Write To Read Delay и некоторые другие.

Настройка таймингов средствами BIOS

В большинстве случаев BIOS устанавливает тайминги автоматически. Как правило, вся необходимая информация о таймингах содержится в специальной микросхеме SPD, которая присутствует в любом модуле памяти. Однако при необходимости значения таймингов можно устанавливать и вручную – BIOS большинства материнских плат предоставляет для этого широкие возможности. Обычно для управления таймингами используется опция DRAM Timings, в которой пользователь может установить значения основных таймингов - CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Row Active Time, а также ряда дополнительных. Кроме того, пользователь может оставить значения, используемые BIOS по умолчанию, выбрав вариант Auto.

Пример окна настройки таймингов BIOS

Почему возникает необходимость в самостоятельной установке таймингов? Это может потребоваться в разных случаях, например в ходе мероприятий по разгону оперативной памяти. Как правило, установка меньших значений таймингов позволяет увеличить быстродействие оперативной памяти. Однако в ряде случаев бывает полезной и установка больших значений таймингов по сравнению с номиналом – это позволяет улучшить стабильность работы памяти. Если вы затрудняетесь с установкой данных параметров и не знаете, какие величины таймингов лучше всего установить, то следует довериться значениям BIOS по умолчанию.

Заключение

Тайминги представляют собой числовые параметры, отражающие задержки выполнения операций в микросхеме памяти, обусловленные спецификой работы модулей ОЗУ. Они относятся к числу важных характеристик оперативной памяти, от которых во многом зависит производительность ОЗУ. При выборе модулей памяти следует руководствоваться следующим правилом – чем меньше будет значение таймингов для памяти, работающей по одной и той же технологии (DDR 1, 2 или 3), тем лучше будут скоростные параметры модуля. Номинальные значения таймингов для любых модулей ОЗУ определяются производителем модулей и хранятся в чипе SPD. Тем не менее, в ряде случаев пользователи могут менять значение стандартных таймингов при помощи средств BIOS.

Разгоняя компьютер, мы больше внимания уделяем таким компонентам как процессор и видеокарта, а память, как не менее важную составляющую, иногда обходим стороной. А ведь именно тонкая настройка подсистемы памяти может дополнительно увеличить скорость рендеринга сцены в трехмерных редакторах, уменьшить время на компрессию домашнего видеоархива или прибавить пару кадров за секунду в любимой игре. Но даже если вы не занимаетесь оверклокингом, дополнительная производительность никогда не помешает, тем более что при правильном подходе риск минимален.

Уже прошли те времена, когда доступ к настройкам подсистемы памяти в BIOS Setup был закрыт от лишних глаз. Сейчас их столько, что даже подготовленный пользователь может растеряться при таком разнообразии, не говоря уже о простом "юзере". Мы постараемся максимально разъяснить действия, необходимые для повышения производительности системы посредством простейших настроек основных таймингов и, при необходимости, некоторых других параметров. В данном материале мы рассмотрим платформу Intel с памятью DDR2 на базе чипсета от той же компании, и основной целью будет показать не то, насколько поднимется быстродействие, а то, как именно его необходимо поднять. Что касается альтернативных решений, то для памяти стандарта DDR2 наши рекомендации практически полностью применимы, а для обычной DDR (меньшие частота и задержки, и большее напряжение) есть некоторые оговорки, но в целом принципы настройки те же.

Как известно, чем меньше задержки, тем меньше латентность памяти и, соответственно, выше скорость работы. Но не стоит сразу же и необдуманно уменьшать параметры памяти в BIOS, так как это может привести к совершенно обратным результатам, и вам придется либо возвращать все настройки на место, либо воспользоваться Clear CMOS. Все необходимо проводить постепенно - изменяя каждый параметр, перезагружать компьютер и тестировать скорость и стабильность системы, и так каждый раз, пока не будут достигнуты стабильные и производительные показатели.

На данный момент времени самым актуальным типом памяти является DDR2-800, но он появился недавно и пока только набирает обороты. Следующий тип (вернее, предыдущий), DDR2-667, является одним из самых распространенных, а DDR2-533 уже начинает сходить со сцены, хотя и присутствует на рынке в должном количестве. Память DDR2-400 нет смысла рассматривать, так как она практически уже исчезла из обихода. Модули памяти каждого типа имеют определенный набор таймингов, а для большей совместимости с имеющимся разнообразием оборудования они немного завышены. Так, в SPD модулей DDR2-533 производители обычно указывают временные задержки 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS), в DDR2-667 - 5-5-5-15 и в DDR2-800 - 5-5-5-18, при стандартном напряжении питания 1,8-1,85 В. Но ничто не мешает их снизить для увеличения производительности системы, а при условии поднятия напряжения всего до 2-2,1 В (что для памяти будет в пределах нормы, но охлаждение все же не помешает) вполне возможно установить еще более агрессивные задержки.

В качестве тестовой платформы для наших экспериментов мы выбрали следующую конфигурацию:

  • Материнская плата: ASUS P5B-E (Intel P965, BIOS 1202)
  • Процессор: Intel Core 2 Extreme X6800 (2,93 ГГц, 4 Мб кэш, FSB1066, LGA775)
  • Система охлаждения: Thermaltake Big Typhoon
  • Видеокарта: ASUS EN7800GT Dual (2хGeForce 7800GT, но использовалось только "половина" видеокарты)
  • HDD: Samsung HD120IJ (120 Гб, 7200 об/мин, SATAII)
  • Привод: Samsung TS-H552 (DVD+/-RW)
  • Блок питания: Zalman ZM600-HP

В качестве оперативной памяти использовалось два модуля DDR2-800 объемом 1 Гб производства Hynix (1GB 2Rx8 PC2-6400U-555-12), благодаря чему появилась возможность расширить количество тестов с различными режимами работы памяти и комбинациями таймингов.

Приведем перечень необходимого ПО, позволяющего проверить стабильность системы и зафиксировать результаты настроек памяти. Для проверки стабильной работы памяти можно использовать такие тестовые программы как Testmem, Testmem+, S&M, Prime95 , в качестве утилиты настройки таймингов "на лету" в среде Windows применяется MemSet (для платформ Intel и AMD) и A64Info (только для AMD) . Выяснение оправданности экспериментов над памятью можно осуществить архиватором WinRAR 3.70b (имеется встроенный бенчмарк), программой SuperPI , рассчитывающая значение числа Пи, тестовым пакетом Everest (также есть встроенный бенчмарк), SiSoft Sandra и т.д.

Основные же настройки осуществляются в BIOS Setup. Для этого необходимо во время старта системы нажать клавишу Del, F2 или другую, в зависимости от производителя платы. Далее ищем пункт меню, отвечающий за настройки памяти: тайминги и режим работы. В нашем случае искомые настройки находились в Advanced/Chipset Setting/North Bridge Configuration (тайминги) и Advanced/Configure System Frequency (режим работы или, проще говоря, частота памяти). В BIOS"е других плат настройки памяти могут находиться в "Advanced Chipset Features" (Biostar), "Advanced/Memory Configuration" (Intel), "Soft Menu + Advanced Chipset Features" (abit), "Advanced Chipset Features/DRAM Configuration" (EPoX), "OverClocking Features/DRAM Configuration" (Sapphire), "MB Intelligent Tweaker" (Gigabyte, для активации настроек необходимо в главном окне BIOS нажать Ctrl+F1 ) и т.д. Напряжение питания обычно изменяется в пункте меню, отвечающем за оверклокинг и обозначается как "Memory Voltage", "DDR2 OverVoltage Control", "DIMM Voltage", "DRAM Voltage", "VDIMM" и т.д. Также у различных плат от одного и того же производителя настройки могут отличаться как по названию и размещению, так и по количеству, так что в каждом отдельном случае придется обратиться к инструкции.

Если нет желания поднимать рабочую частоту модулей (при условии возможностей и поддержки со стороны платы) выше ее номинальной, то можно ограничиться уменьшением задержек. Если да, то вам скорее придется прибегнуть к повышению напряжения питания, равно как и при снижении таймингов, в зависимости от самой памяти. Для изменения настроек достаточно необходимые пункты перевести из режима "Auto" в "Manual". Нас интересуют основные тайминги, которые обычно находятся вместе и называются следующим образом: CAS# Latency Time (CAS, CL, Tcl, tCL), RAS# to CAS# Delay (RCD, Trcd, tRCD), RAS# Precharge (Row Precharge Time, RP, Trp, tRP) и RAS# Activate to Precharge (RAS, Min.RAS# Active Time, Cycle Time, Tras, tRAS). Также есть еще один параметр - Command Rate (Memory Timing, 1T/2T Memory Timing, CMD-ADDR Timing Mode) принимающий значение 1T или 2T (в чипсете AMD RD600 появилось еще одно значение - 3Т) и присутствующий на платформе AMD или в чипсетах NVidia (в логике от Intel он заблокирован в значении 2T). При снижении этого параметра до единицы увеличивается быстродействие подсистемы памяти, но снижается максимально возможная ее частота. При попытке изменить основные тайминги на некоторых материнских платах могут ожидать "подводные камни" - отключив автоматическую настройку, мы тем самым сбрасываем значения подтаймингов (дополнительные тайминги, влияющие как на частоту, так и на быстродействие памяти, но не так значительно, как основные), как, например, на нашей тестовой плате. В этом случае придется воспользоваться программой MemSet (желательно последней версии) и просмотреть для каждого режима работы памяти значения подтаймингов (субтаймингов), чтобы установить аналогичные в BIOS"e.

Если названия задержек не совпадут, то тут хорошо проявляет себя "метод научного тыка". Незначительно изменяя дополнительные настройки в BIOS Setup, проверяем программой, что, где и как изменилось.

Теперь для памяти, функционирующей на частоте 533 МГц, можно попытаться вместо стандартных задержек 4-4-4-12 (или какого-либо другого варианта) установить 3-3-3-9 или даже 3-3-3-8. Если с такими настройками система не стартует, поднимаем напряжение на модулях памяти до 1,9-2,1 В. Выше не рекомендуется, даже при 2,1 В желательно использовать дополнительное охлаждение памяти (простейший вариант - направить на них поток воздуха от обычного кулера). Но сперва необходимо провести тесты при стандартных настройках, например в очень чувствительном к таймингам архиваторе WinRAR (Tools/Benchmark and hardware test). После изменения параметров проверяем снова и, если результат удовлетворяет, оставляем как есть. Если нет, как это произошло в нашем тестировании, то при помощи утилиты MemSet в среде Windows (эта операция может привести либо к зависанию системы, либо, что еще хуже, полной неработоспособности ее) или же средствами BIOS Setup поднимаем на единицу RAS# to CAS# Delay и снова тестируем. После можно попытаться уменьшить на единицу параметр RAS# Precharge, что немного увеличит быстродействие.

Тоже самое проделываем для памяти DDR2-667: вместо значений 5-5-5-15 выставляем 3-3-3-9. При проведении тестов нам пришлось также увеличить RAS# to CAS# Delay, иначе быстродействие ничем не отличалось от стандартных настроек.

Для системы, использующей DDR2-800, задержки можно уменьшить до 4-4-4-12 или даже 4-4-3-10, в зависимости от конкретных модулей. В любом случае подбор таймингов сугубо индивидуален, и дать конкретные рекомендации достаточно сложно, но приведенные примеры вполне могут помочь вам в тонкой настройке системы. И не забываем о напряжении питания.

В итоге мы провели тестирование с восемью различными вариантами и комбинациями режимов работы памяти и ее задержками, а также включили в тесты результаты оверклокерской памяти, - Team Xtreem TXDD1024M1066HC4, работавшей на эффективной частоте 800 МГц при таймингах 3-3-3-8. Итак, для режима 533 МГц вышло три комбинации с таймингами 4-4-4-12, 3-4-3-8 и 3-4-2-8, для 667 МГц всего две - 5-5-5-15 и 3-4-3-9, а для режима 800 МГц, как и в первом случае, три - 5-5-5-18, 4-4-4-12 и 4-4-3-10. В качестве тестовых пакетов использовались: подтест памяти из синтетического пакета PCMark05, архиватор WinRAR 3.70b, программа расчета числа Пи - SuperPI и игра Doom 3 (разрешение 1024x768, качество графики High). Латентность памяти проверялась встроенным бенчмарком программы Everest. Все тесты проходили в среде Windows XP Professional Edition SP2. Представленные результаты на диаграммах расположены по режимам работы.

Как видите по результатам, разница в некоторых тестах незначительная, а порой даже мизерная. Это обусловлено тем, что системная шина процессора Core 2 Duo, равная 1066 МГц, имеет теоретическую пропускную способность 8,5 Гб/с, что соответствует пропускной способности двухканальной памяти DDR2-533. При использовании более скоростной памяти ограничивающим фактором быстродействия системы становится шина FSB. Уменьшение задержек ведет к росту быстродействия, но не так заметно, как повышение частоты памяти. При использовании в качестве тестового стенда платформы AMD можно было бы наблюдать совсем другую картину, что мы по возможности и сделаем в следующий раз, а пока вернемся к нашим тестам.

В синтетике рост производительности при уменьшении задержек для каждого из режимов составил 0,5% для 533 МГц, 2,3% для 667 МГц и 1% для 800 МГц. Заметен значительный рост производительности при переходе от памяти DDR2-533 к DDR2-667, а вот смена с 667 на DDR2-800 дает уже не такую прибавку скорости. Также память уровнем ниже и с низкими таймингами вплотную приближается к более высокочастотному варианту, но с номинальными настройками. И это справедливо практически для каждого теста. Для архиватора WinRAR, который достаточно чувствителен к изменению таймингов, показатель производительности немного вырос: 3,3% для DDR2-533 и 8,4% для DDR2-667/800. Расчет восьмимиллионного знака числа Пи отнесся к различным комбинациям в процентном соотношении лучше, чем PCMark05, хоть и незначительно. Игровое приложение не сильно жалует DDR2-677 с таймингами 5-5-5-15, и только снижение последних позволило обойти менее скоростную память (которой, как оказалось, все равно, какие тайминги стоят) на два кадра. Настройка памяти DDR2-800 дала прибавку еще в два кадра, а оверклокерский вариант, который имел неплохой разрыв в остальных тестах, не слишком вырвался вперед относительно менее дорогого аналога. Все же, кроме процессора и памяти, есть еще одно звено - видеоподсистема, которая вносит свои коррективы в производительность всей системы в целом. Результат латентности памяти удивил, хотя, если присмотреться к графику, становится ясно, отчего показатели именно такие, какие есть. Падая с ростом частоты и уменьшением таймингов от режима DDR2-533 4-4-4-12, латентность имеет "провал" на DDR2-667 3-4-3-9, а последний режим практически ничем кроме частоты от предыдущего не отличается. И благодаря столь низким задержкам DDR2-667 запросто обходит DDR2-800, которая имеет более высокие значения, но пропускная способность DDR2-800 позволяет в реальных приложениях все же вырваться вперед.

И в заключение хотелось бы сказать, что несмотря на небольшой процент прироста быстродействия (~0,5-8,5), который получается от уменьшения временных задержек, эффект все же присутствует. И даже при переходе с DDR2-533 на DDR2-800 мы получаем прибавку в среднем 3-4%, а в WinRAR более 20. Так что подобный "тюнинг" имеет свои плюсы и позволяет даже без серьезного разгона немного поднять производительность системы.

26. Как изменить в BIOS тайминги памяти

Уменьшаем задержки памяти. Данная операция имеет смысл только для высококачественных модулей памяти. Но если сработает, то вы получите прирост производительности.

Каждый модуль памяти SDRAM и DDR/DDR-2 несёт специальный чип Serial Presence Detect (SPD), в котором хранятся значения задержек (таймингов) памяти по умолчанию. Производители памяти обычно указывают значения SPD для гарантированно стабильной и надёжной работы. Поэтому часто имеет смысл чуть ускорить задержки, поскольку данный шаг позволяет выжать ещё несколько процентов производительности.

Соответствующие опции могут называться наподобие "System Performance", "Memory Timings" или "Configure DRAM Timing". Как правило, значение по умолчанию для данных опций "By SPD". Оно заставляет компьютер считывать рекомендованные значения с чипа SPD модуля памяти и автоматически их использовать. Кроме того, значение "Enabled" тоже вряд ли вызовет проблемы с ПК.

Если же вы хотите попытаться настроить системы для лучшей производительности, то выставите значение опции в "Disabled" или "User Defined" (если таковые есть, см. иллюстрацию выше). Затем выставьте параметры вручную, как указано в следующих пунктах.

27. Как в BIOS уменьшить задержку RAS-to-CAS

Память лучше представлять в виде двумерного массива. Для получения данных следует указать столбец с помощью сигнала Row Address Strobe (RAS), а затем строчку с помощью сигнала Column Address Strobe (CAS). Между сигналами RAS и CAS требуется определённый временной промежуток, чтобы адресация не сбилась. Обычно задержка RAS-to-CAS составляет два или больше тактовых импульса.

Значение "SDRAM RAS to CAS Delay" позволяет точно выставить, сколько тактов будет проходить между сигналами RAS и CAS. Возможны настройки от 2 до 5, причём 2 является самой быстрой. Попробуйте снизить задержку и протестировать стабильность вашей системы. Чем качественнее вашим модули памяти, тем меньшую задержку можно получить.

28. Уменьшаем в BIOS задержку CAS

Во время получения данных из памяти между выставлением адреса и передачей данных следует выждать определённый временной промежуток. Он тоже указывается в тактах: 2T для двух тактов, 3T - для трёх и т.д. Меньшее значение "SDRAM CAS Latency" обеспечивает более высокую производительность.

Правильное (и безопасное) значение "SDRAM CAS Latency" обычно напечатано на маркировке модуля или даже выжжено на самих чипах. Для дешёвых модулей обычно встречаются значения 3T или 2,5T. Выставьте значение в 2,5T или даже 2T, после чего проверьте стабильность системы. Некоторые производители памяти заявляют, что память, поддерживающая режим 2T, способна работать и на более высоких частотах. Если уменьшить задержку CAS удастся, то можете попытаться увеличить частоту памяти с помощью опции "Memory Frequency".

Предупреждение: выполняйте изменение только одного параметра за один тестовый прогон. Тогда вы сразу же сможете определить причину нестабильной работы и вернуться к проверенному значению.

29. Уменьшаем в BIOS RAS Precharge Delay

Чтобы ячейки памяти работали быстро, их необходимо правильно заряжать. Опция "SDRAM RAS Precharge Delay" указывает промежуток (в тактах) между зарядкой ячеек и отсылкой сигнала RAS. С меньшим значением, скажем, "2", память работает быстрее, но зачастую нестабильно. Попробуйте снизить задержку зарядки и каждый раз проверяйте стабильность работы системы.

30. Уменьшаем в BIOS SDRAM Precharge

Задержка "SDRAM Active Precharge Delay" тоже выставляется в тактах. Она указывает на задержку между последовательными доступами к памяти, так что её снижение может ускорить работу с памятью.

Как правило, задержка высчитывается следующим образом: Active Precharge Delay = CAS-Latency + RAS Precharge Delay + 2 (для стабильности). Как и в случае с другими задержками, попробуйте снизить её значение на один такт и проверьте стабильность работы системы. Если возникнут проблемы, то верните значение обратно.

Задержки RAM: снижение задержек позволяет ускорить производительность подсистемы памяти.

Рекомендованные значения для задержек советов 27-30 зависят от самих модулей. Если на модуле указано "2,5-4-4-8", то задержка CAS Latency составляет 2,5 такта, RAS to CAS Delay - 4 такта, RAS Precharge Delay - 4 такта и Active Precharge Delay - 8 тактов. Именно такие значения рекомендует производитель для модулей памяти. Конечно, могут заработать и меньшие задержки, но при этом возникает опасность системных сбоев. Если вы хотите получить оптимальную производительность, мы рекомендуем по очереди уменьшать задержки на одно значение и каждый раз тестировать стабильность системы.

32. Увеличиваем в BIOS напряжение для памяти

Если память работает быстрее, то ей понадобится больше энергии. Именно поэтому вместе с ростом частоты следует увеличивать и напряжение питания.

Опция "DDR Reference Voltage" позволяет увеличивать напряжение памяти обычно с шагом 0,1 В. Повышение напряжения имеет смысл, если вы снизили задержки или увеличили частоту работы памяти. Либо если начали возникать проблемы со стабильной работой.

Предупреждение: слишком высокое напряжение может сжечь модули памяти!

33. Как выключить в BIOS встроенный звук

Часто встроенный звуковой контроллер материнской платы не используется. Скажем, если вы установили мощную звуковую карту PCI или вообще используете компьютер без колонок. Тогда имеет смысл отключить звук на материнской плате. В некоторых случаях это позволяет повысить общую системную производительность и стабильность.

В меню "Integrated Peripherals" выставьте значение пункта "AC97 Audio Select" в "Disabled" (как показано на иллюстрации выше).

34. Как выключить в BIOS игровой порт

Игровой порт полезен только владельцам старых джойстиков или тем пользователям, кто применяет его в качества MIDI-интерфейса. Тогда имеет смысл выделять два порта ввода/вывода и прерывание на игровой порт. (Кстати, если у вас есть джойстик, то он, скорее всего, использует подключение USB). Всем остальным пользователям лучше отключить игровой порт.

В меню "Integrated Peripherals" выставьте значение пункта "Game Port" в "Disabled".

35. Как выключить в BIOS сетевой порт

Некоторые материнские платы оснащены двумя сетевыми интерфейсами, но, как правило, большинству пользователей нужен только один. Не работающие интерфейсы лучше отключать. В ряде случаев это повышает производительность и стабильность системы.

В меню "Integrated Peripherals" выставьте значение пункта "Onboard Intel LAN" в "Disabled".

36. Как выключить в BIOS лишние порты

Сегодня только старым КПК и модемам нужны последовательные порты COM1 и COM2. Отключение портов экономит два прерывания IRQ, снижая число прерываний, которое должен проверять процессор. Да и параллельный интерфейс LPT сегодня вряд ли кому-нибудь нужен. Тем более что современные принтеры и сканеры подключаются к порту USB.

Из меню "Integrated Peripherals" отключите интерфейсы COM1 и COM2 (опция "IO Devices, Com-Port", но может называться и "Serial Port 1/2"). Выключите порт LPT, выставив значение пункта "Parallel Port" в "Disabled".

37. Как выключить в BIOS FireWire (IEEE1394)

Интерфейс FireWire нужен только в тех случаях, если вам нужно скачать видео с видеокамеры или подключить периферию FireWire. Во всех остальных ситуациях интерфейс лучше выключить.

В меню "Integrated Peripherals" выставьте значение пункта "Onboard 1394 device" в "Disabled".



СОДЕРЖАНИЕ